韩国推出首个321层NAND闪存芯片，开始量产

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当地时间21日，韩国芯片巨头SK海力士公司表示，已开始批量生产业界首个基于三层单元的321层NAND闪存芯片。自2023年6月以来，SK海力士首次推出了世界最高的238层NAND闪存芯片。这一次，这家公司再次找到了堆叠技术的突破口，成为世界上第一家拥有300层以上NAND闪存的供应商。SK海力士称，计划从2025年上半年开始向顾客提供321层NAND闪存芯片。据了解，NAND闪存是一种非易失性存储介质，广泛用于包括存储卡、USB驱动器、固态驱动器（SSDs）、平板电脑和智能手机在内的电子设备中，功能为一般存储和传输数据。NAND闪存的层数是指存储单元的垂直堆叠，层数越多表示存储密度和容量越高。SK海力士公司还计划将321层NAND闪存芯片提供给新兴人工智能应用领域，以逐步扩大它的使用范围。

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